恩智浦推出超薄DFN電晶體

2013 年 11 月 07 日

恩智浦(NXP)推出首款採用1.1毫米(mm)×1毫米×0.37毫米超薄矩形平面無接腳封裝(DFN)的電晶體。全新產品組合由二十五種元件組成,其中包括低RDson金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)以及可將電流能力最高提升至3.2安培(A)的低飽和通用電晶體。此全新產品系列憑藉其超小尺寸和高性能,相當適用於可攜式、空間受限應用的電源管理和負載開關,特別因外形大小、功率密度和效率皆為關鍵因素。


恩智浦半導體電晶體產品經理Joachim Stange表示,在微小的塑膠封裝內達到如此高的汲極和集極電流值是前所未有的。憑藉這一突破性的里程碑,恩智浦將繼續挑戰MOSFET和雙極性電晶體在超緊緻封裝和性能方面的極限。


全新產品系列採用兩種封裝,包括單晶DFN1010D-3(SOT1215)封裝,功耗最高達到1瓦(W),具備鍍錫與可焊式側焊墊的特性。這些側焊墊提供光學焊接檢測的優勢,與傳統無鉛封裝相比,焊接連接品質更好,能滿足嚴格的汽車應用要求;雙晶封裝DFN1010B-6(SOT1216),占用空間僅為1.1平方毫米(mm²),是雙電晶體可採用的最小封裝。


採用DFN1010封裝的產品可替代許多WL-CSP裝置。另外,該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛表面黏著型(SMD)封裝(例如達其體積八倍的SOT23),同時提供同等甚至更為出色的性能。


恩智浦網址:www.nxp.com

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