恩智浦新增十五款高性能N-Channel MOSFET

2011 年 06 月 09 日

恩智浦半導體(NXP)宣布其採用LFPAK封裝的NextPower系列25伏特和30伏特 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將增添十五款新產品並已開始供貨。該系列產品在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點,並具備超低的RDS(on)(25V和30V均為sub-1 mΩ型),是高性能、高可靠性開關應用的理想選擇。
 



恩智浦功率MOSFET行銷經理Charles Limonard表示,NextPower系列新產品在25伏特和30伏特條件下達成業界最低的RDS(on),這僅僅是其傑出性能的其中之一。最新NextPower元件的重大突破在於可控制MOSFET在各個方面的表現,超越導通電阻和柵極電荷,為開關應用帶來高性能、高可靠性和最大功效。
 



傳統方法主要著眼於降低RDS(on)和Qg,而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS(on)、低Qoss、低Qg(tot)與Qgd之間的平衡達到最佳化,進而達成強大的開關性能,減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗,同時提供傑出的SOA性能。此外,恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝,尺寸精巧,面積僅5毫米×6毫米,可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。
 



恩智浦網址:www.nxp.com

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