意法半導體(STMicroelectronics)推出超結型MDmesh V系列– STW88N65M，新產品的導通電組(On-Resistance Per Area)僅為0.029歐姆，是標準TO-247封裝650伏特市場上導通電組最低的產品，打破同是MDmesh V之0.038歐姆的原產業指標。
其實，MDmesh V系列的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)之高壓功率已打破世界記錄，其擁有每單位面積最低的導通電組，使能在650伏特額定電壓應用中實現最高的能效和功率密度。
然而，新產品有過之無不及地提高能效指標至23%以上，對以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器，能為其在節能技術領域跨大步。設計工程人員可將新產品替代導通電組較高的MOSFET，以提高終端應用的能效，或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸並降低材料(BOM)成本。
功率電晶體市場總監Maurizio Giudice表示，新記錄鞏固意法半導體在超接面(Super-Junction)MOSFET市場的地位，MDmesh V展現意法半導體最新經市場驗證的多重漏極網格(Multi-Drain Mesh)技術，新產品的更高性能降低應用設計能耗。
值得注意的是，該公司MDmesh V系列產品擁有高安全範圍，能提高MOSFET對交流(AC)電力線上一般一邊突波電壓的承受能力。已上市的新產品，採用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/扁平封裝(Flat Package, FP)、PowerFLAT 8×8 HV以及I2PAK。
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