意法新款功率MOSFET實現更小/更環保汽車電源

2015 年 12 月 30 日

意法半導體(ST)針對汽車市場推出新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證,採用該公司先進,且內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程,崩潰電壓範圍為400V~650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。


400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首獲AEC-Q101認證的功率MOSFET,,全系列產品專為汽車應用所設計,內部整合高速本體二極體(Fast Body Diode)、恢復軟度係數更高的換向行為(Commutation Behaviour)和背對背閘極源極齊納(Gate-source Zener)二極體保護功能,是全橋零電壓開關拓撲的理想選擇。


該公司新推出的產品是汽車市場反向恢復時間(Trr)/ 反向恢復電荷(Qrr)比和恢復軟度系數表現較佳的功率MOSFET,同時也擁有較出色的高電流關機能源(Eoff),有助於提升汽車電源能效。此外,內部高速本體二極體的性能表現亦佳,有助於降低EMI電磁干擾,讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波元件。MDmesh DM2技術透過此一方式讓電源設計變得更環保、能耗更低,從而使能效最大化、終端產品的尺寸最小化。


意法網址:www.st.com

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