意法40V MOSFET電晶體降低導通電阻/開關損耗

2022 年 08 月 04 日

意法半導體(ST)推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗,同時最佳化體寄生二極體之特性,降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊。

新型40V N溝道加強型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術達到卓越的品質因數。在閘源極電壓(VGS)為10V時,STL320N4LF8和STL325N4LF8AG之最大導通電阻(Rds(on))分別為0.8mOhm和和0.75mOhm。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低,因此可採用節省空間且熱效率高的PowerFLAT 5×6封裝。

意法半導體先進STripFET F8技術開關速度十分出色,其低晶片電容可以最大限度降低柵漏電荷等動態參數,提升系統效能。設計人員可在600kHz至1MHz範圍內選擇開關頻率,以便於使用尺寸更小的電容和磁性元件,進而節省電路尺寸和物料清單成本,提升終端應用的功率密度。

適當的輸出電容和相關的等效串聯電阻可防止漏源電壓出現尖峰,並確保在二極體關斷時突降振盪時間更短。 藉由這一點和二極體的軟恢復特性,STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發出的電磁干擾(EMI)低於其他類似元件。此外,體寄生二極體的反向恢復電荷極低,可最大限度地減少硬開關拓撲的能量損耗。

閘極閾壓(VGS(th))在STL320N4LF8和STL325N4LF8AG中受到嚴格控制,確保元件之間的閾壓差異低,以便並聯多個MOSFET功率元件,處理更大的電流。其短路耐受能力亦非常出色,可承受高達1000A的電流(脈衝短於10µs)。

STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別為首款符合工業標準和AEC-Q101汽車標準的STPOWER STripFET F8 MOSFET元件,是電池供電產品和運算、電信、照明和通用功率轉換應用的理想選擇。

標籤
相關文章

ST 650V車規MOSFET採用TO-247封裝

2013 年 08 月 14 日

意法半導體宣布明年Q3退出ST-Ericsson

2012 年 12 月 14 日

意法半導體透過CMP提供MEMS製程

2013 年 03 月 29 日

意法推出全新小尺寸數位電容控制器

2019 年 03 月 04 日

意法宣布2021年第三季財報淨利潤達4.74億美元

2021 年 11 月 03 日

ST/格羅方德敲定法國12吋半導體晶圓新廠協議

2023 年 06 月 07 日
前一篇
混合式工作時代降落 穿戴視訊裝置提升前線效率
下一篇
遠距檢修打破空間局限 工業AR實現高效協作