應用材料在平坦化技術重大技術突破，推出300mm革命性的Reflexion LK Ecmp系統。應用材料在原有的Reflexion LK平台上，採用電化學機械平坦化技術，使這套系統成為唯一能在65奈米及往後的銅製程與低介電常數製程上，提供高效能、符合成本利益和可延伸解決方案的化學機械研磨(CMP)的應用設備。
應用材料這套Reflexion LK Ecmp 系統採行3種研磨頭優勢，整合了Ecmp製程，並藉由電解改變，高速清除(＞6,000埃/每分鐘)大量銅層，不需仰賴研磨下壓壓力 (downforce)。這種製程對易受損的超低介電常數薄膜是十分理想，可以使最先進的銅質雙崁(dual damascene)結構平坦化，且將淺碟化、氧化物過蝕和缺陷均降至最小(＜0.1/cm2)。使磨耗量的成本大幅度降低，低成本的電解液也取代了昂貴的銅研漿。所殘留薄且均勻的銅薄膜以及阻障層/線層材質，均能以極低的下壓壓力有效地移除。
根據市場分析公司Dataquest資料顯示，2003年的銅製程化學機械研磨市場總值是2億3,200萬美元，預估至2006年的複合年成長率達37%。
這項整合在Reflexion LK平台上的Ecmp技術，讓系統延伸至少三技術世代的有效期，機台無需再作資格確認，進而降低成本。
