技術瓶頸突破 Plessey發布大尺寸GaN-on-Si LED

作者: 林苑卿
2014 年 11 月 14 日

Plessey宣布開發出可實現高效能、高品質且可大量生產的大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)發光二極體(LED)晶片,將在近期於倫敦舉辦的Lux Live照明展中展出,,藉此提高客戶的採購意願並思考可發揮的最佳應用。


Plessey市場行銷總監David Owen表示,下一波通用照明產品中,將會看到透過該公司先進的GaN-on-Si技術為LED應用帶來的價值。在產品初期發展階段,Plessey將會與重要的客戶採用該公司大尺寸GaN-on-Si LED晶片共同打造照明商品。


Plessey主要係借重三大核心製程技術研發出大尺寸GaN-on-Si晶片,其一是低熱阻的矽;再搭配單表面、發射極(Emitter)晶片設計及6吋晶圓製程。目前該公司已利用大尺寸GaN-on-Si晶片優勢,生產出20平方毫米的晶片設計(4.5毫米×4.5毫米),其將產生5瓦、波長在400~480範圍的藍光。


大尺寸的LED晶片能帶給客戶更多助益,特別是為COB(Chip-on-Board)產品提供更簡單、更均勻的光發射極,同時減少晶片黏接和打線(Wire Bond)開銷;以及低熱阻的矽基將更容易進行熱管理,且在低溫運作之下,可強化可靠度。此外,該晶片具有頂部陰極和底部陽極接觸的垂直設計結構,有助於大尺寸LED晶片開發。不僅如此,Plessey更借助6吋晶圓加工製程,投產出高度一致性的晶圓,助力達到商用化目標。


Plessey的高亮度LED技術MaGIC(Manufactured on GaN-on-Si I/C)可藉由標準矽製造技術來減低LED照明的成本,已贏得無數獎項。

標籤
相關文章

封裝屢有突破 齊瀚玩出LED新花樣

2010 年 06 月 24 日

LED TV/照明應用大不同 封裝技術各展所長

2011 年 04 月 11 日

超薄鏡頭模組加持 華碩Zenbook輕薄登場

2011 年 10 月 17 日

擴大LED產能 光寶加碼投資晶品光電

2012 年 01 月 09 日

解決COB限制 Zhaga修訂LED路燈標準

2012 年 07 月 11 日

智慧照明蓄勢待發 LED驅動器/封裝設計掀革

2013 年 11 月 07 日
前一篇
芯科矽晶電視調諧器符合所有地面/有線電視標準
下一篇
主動箝位技術襄助 順向式轉換器取得大小訊號回應

登入會員

本站程式甫於2022.5.5更新,
所有舊會員必須先點擊:
忘記密碼 進行密碼確認後,才能正常登入。

上述動作目的在於確保帳號安全性,造成不便懇請見諒。如您已重設過密碼,請忽略此訊息。