挾先進矽鍺製程優勢 SiGe半導體力拓RF市場版圖

作者: 王智弘
2006 年 10 月 03 日
射頻前端元件在無線通訊應用中扮演不可或缺的關鍵角色,為了讓射頻元件擁有更高整合度及效能,SiGe半導體以其專精的矽鍺製程技術,開發出一系列體積小、線性度高,同時兼具低雜訊與低功耗的射頻元件,並以每年營收倍數成長的力道,快速在市場中攻城掠地。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

再生能源議題升溫 亞洲國家搶攻太陽光電市場

2009 年 03 月 02 日

力促標準制定 IEEE/3GPP分食4G商機大餅

2009 年 03 月 11 日

克服先進製程挑戰 可靠性成IC設計新顯學

2010 年 06 月 28 日

專訪德州儀器亞洲區產品行銷經理周允一 德儀BMS監控晶片發功

2011 年 09 月 22 日

強化加速度計與陀螺儀產品 台灣MEMS業者緊追國際大廠

2012 年 11 月 26 日

培養正向智商 迎接人機共存

2023 年 03 月 20 日
前一篇
凌力爾特推出1.6伏特高精準運算放大器系列
下一篇
瑞薩將SH-Mobile系列應用擴充至手機之外