挾先進矽鍺製程優勢 SiGe半導體力拓RF市場版圖

作者: 王智弘
2006 年 10 月 03 日
射頻前端元件在無線通訊應用中扮演不可或缺的關鍵角色,為了讓射頻元件擁有更高整合度及效能,SiGe半導體以其專精的矽鍺製程技術,開發出一系列體積小、線性度高,同時兼具低雜訊與低功耗的射頻元件,並以每年營收倍數成長的力道,快速在市場中攻城掠地。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

HD DVD/藍光搶進家庭多媒體中樞 高畫質儲存世代來臨

2006 年 06 月 21 日

撙節能源需求升溫 晶片業者高效率電源IC競出

2007 年 11 月 27 日

挾資通訊優異成果 台灣持續深耕無線行動寬頻產業

2007 年 12 月 05 日

滿足接觸/非接觸支付應用 DIF晶片卡躍居主流

2014 年 12 月 01 日

高畫質影音體驗需求增 HDMI/VESA布局腳步加快

2018 年 03 月 15 日

寬頻延伸/低延遲 5G實現醫療多元可能性

2019 年 08 月 18 日
前一篇
凌力爾特推出1.6伏特高精準運算放大器系列
下一篇
瑞薩將SH-Mobile系列應用擴充至手機之外