插旗5kW以上應用版圖 快捷SiC BJT上陣

作者: 林苑卿
2012 年 11 月 21 日

快捷(Fairchild)正式加入碳化矽(SiC)功率半導體元件戰局。繼科銳(Cree)、英飛凌(Infineon)、羅姆(Rohm)、意法半導體(ST)等半導體大廠後,快捷首款SiC功率半導體元件–雙極電晶體(BJT)亦預定於2013年導入量產,將與其他SiC功率半導體供應商爭食5kW以上高瓦數應用市場大餅。



快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅表示,快捷首款SiC BJT開關損耗低,故能提供最高轉效率的電源開關。




快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅表示,電力電子設計人員於再生能源、馬達控制、電動車等5kW以上高瓦數應用,面臨降低功率損耗和提高效率的挑戰加劇,將激勵能實現更高轉換效率的SiC功率半導體需求看漲,也因此,快捷已透過收購TranSiC掌握SiC BJT技術能量,正逐步透過微調製程突破量產關卡,計畫於明年委外代工,屆時將成為全球首家投產SiC BJT的半導體廠商。惟目前委外代工的廠商尚不便對外透露。


根據市調機構IMS Research預估,2011~2021年SiC功率半導體市場產值成長超過二十倍,至2021年產值將高達20億美元,主要成長力道來自5kW以上高瓦數應用,包括風力發電、太陽能逆變器(Inverter)、不斷電系統(UPS)等。


不同於其他功率半導體供應商大舉部署二極體(Diode)、接面場效電晶體(JFET)及金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)三大SiC功率半導體元件,快捷選擇進軍SiC BJT市場。藍建銅指出,快捷專攻SiC BJT的考量其一係購併擁有SiC BJT技術的廠商,再者是期望成為SiC功率半導體特定領域的技術領先者。


現階段,SiC功率半導體價格仍高於傳統矽功率半導體元件。藍建銅強調,現今,SiC功率半導體單價達十幾美元,與傳統矽功率半導體元件價差高達十倍之多,不過SiC功率半導體具備高密度與高轉換效率優勢,特別是在5kW以上應用,能比傳統矽功率半導體元件印刷電路板(PCB)省下過半數量的被動元件,如電容、電感等,因此整體物料清單(BOM)成本可降低20%,同時尺寸縮小30~50%。


一旦SiC BJT價格持續調降,未來將有機會擴大在功率半導體的市場滲透率,並加快取代在5kW以上應用領域的絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)市占,藍建銅認為,若要縮減SiC BJT製造成本,提高製程良率將是首要之務,將成為快捷今後戮力耕耘的技術重點。

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