改善SiC MOSFET電壓漂移 調整閘極驅動負電壓是訣竅

2019 年 10 月 21 日
能隙半導體SiC材料會引起臨界值電壓變化和漂移現象。透過調整閘極驅動負電壓,可以限制SiC MOSFET臨界值漂移。
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