松下與瑞薩合作開發系統晶片製程 已達45奈米新境界

2006 年 08 月 07 日

松下電器(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.)和瑞薩科技(Renesas Technology)宣布成功整合測試45奈米的系統晶片(SoC)半導體製造技術。此項製程是產業首創完全整合氬氟ArF(Argon- fluoride)浸沒式掃瞄器與光隙數值1.0或更高的技術。松下與瑞薩自2005年10月開始合作45奈米製程開發計畫,自1998年開始合作前一代的生產製程開發計畫。
 

聯合開發計畫將於2007年6月完成,預計2008年初開始量產。全新45奈米製程將由松下和瑞薩共同使用,生產高階行動產品以及消費性網路電子產品之系統晶片。除高階的氬氟浸沒微影技術外,也計畫更進一步引進其他新技術,包含引流高移動率電晶體和ELK(K=2.4)多層次線路模組。
 

未來松下和瑞薩將持續合作,基於彼此的信任、聯合分配資源和共享技術資訊,有效開發高階技術,保持絕佳合作關係。
 

瑞薩科技網址:www.renesas.com
 

標籤
相關文章

AnalogicTech發表電源管理IC- AAT1275

2007 年 03 月 01 日

ConnectPRO USB DDM技術整合觸控操作創新應用

2009 年 01 月 14 日

NI研討會儀器控制Turnkey Solution一次到位

2011 年 08 月 26 日

ams發布數位降噪先進技術無線耳塞式耳機

2019 年 07 月 05 日

日亞對WOFI德國專利侵權訴訟再次獲勝

2023 年 01 月 17 日

安立知助村田製作所開發USB 3.2雜訊抑制解決方案

2024 年 07 月 25 日
前一篇
超寬頻技術主導高速USB連結方式 無線USB攻占周邊裝置
下一篇
英飛凌推出首款雙頻道RF-CMOS射頻收發器 為行動娛樂鋪出康莊大道