檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

Android推波助瀾 開放式平台打造聯網電視

2010 年 07 月 12 日

模擬器支援高速動態響應 PV逆變器量測精準度提升

2014 年 02 月 16 日

取代內嵌離散式MOSFET APM增強汽車電氣效能

2014 年 02 月 27 日

行動寬頻革命浪潮再一波 5G先期標準制定全球啟動

2015 年 08 月 06 日

CAN網路設計有撇步(上) 六大方法克服CAN匯流排干擾

2018 年 07 月 02 日

五步驟實現快速高效設計 半自動化工具提升電源電路品質

2021 年 06 月 13 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至