檢測10奈米以下半導體 CD-SEM量測技術邁大步

作者: Ofer Adan
2014 年 08 月 18 日
半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時,將面臨嚴重的導孔偏移問題,所幸,設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM),可提供更清晰的對焦和更精細的量測影像,有效克服導孔對準挑戰。
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