檢測10奈米以下半導體 CD-SEM量測技術邁大步

作者: Ofer Adan
2014 年 08 月 18 日
半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時,將面臨嚴重的導孔偏移問題,所幸,設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM),可提供更清晰的對焦和更精細的量測影像,有效克服導孔對準挑戰。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

提升可靠性 數位回授迴路創新電源設計

2009 年 09 月 02 日

提高天線增益 RFID讀寫器操作距離延長

2012 年 05 月 31 日

智慧型同步整流控制器助力 旅行適配器實現高功率/小體積

2016 年 01 月 11 日

微型原子鐘技術加持 電子設備時脈更精準

2017 年 07 月 20 日

線上互動商機疫後爆發 高解析窄頻解電商直播痛點

2021 年 01 月 25 日

運算效能需求再突破 AI PC大舉導入高速記憶體(1)

2024 年 05 月 15 日
前一篇
善用反動電勢電壓掌握轉子方位 無感測BLDC設計更Easy
下一篇
宜特AE聲發射測試可預防高頻PCB焊盤坑裂