歐司朗紅外線薄膜晶片效率大增72%

2012 年 12 月 12 日

歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors)紅外線晶片原型產品創新紀錄,效率最高可達72%。在實驗室條件下,1安培(A)操作電流下的輸出約為930毫瓦(mW),該紅外線晶片的光輸出比市面上目前可得的晶片高約25%,這表示未來的紅外線發光二極體(LED)省電效率將會更高。
 



這項輸出效率是在室溫及最高1A的直流電操作電流下測得的。這晶片的波長為850奈米(nm),專門為紅外線照明應用而設計。
 



這項由雷根斯堡研發實驗室得出的成果,以紅外線薄膜晶片技術製成的1平方毫米晶片,在100毫安培(mA)的操作電流下的效率可達72%。這種效率稱為功率轉換效率(Wall Plug Efficiency, WPE),指的是輻射功率轉換成電輸出功率的效率。
 



外部量子效率(External Quantum Efficiency, EQE),也就是從每個電子中創造出光子及從LED晶片發射出來的機率最高可高達67%,在最高1A操作電流下也高於64%。
 



歐司朗光電半導體雷根斯堡總部的IRED開發專案經理Markus Bröll指出,提高效率與亮度的作法,可從850nm轉移到其他的波長上去。這代表紅外線照明未來很可能創造出省電效率更高的解決方案。
 



這項開發案的成果,現在已按階段逐一實現之中,預計新的晶片會在明年初與明年中之間加入系列化產品。
 



歐司朗光電半導體網址:www.osram-os.com

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