浮動閘極NAND面臨微縮瓶頸 3D/電荷擷取技術露鋒芒

作者: Saied Tehrani
2013 年 08 月 05 日
NAND Flash記憶體進入20奈米以下製程節點後,將面臨嚴峻的微縮挑戰,因此記憶體製造商已加緊投入新技術研發,期以三維(3D)空間儲存格結構或電荷擷取(Charge Trap)技術,實現小尺寸、高容量、高穩定度且兼顧開發成本的新一代NAND...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

滿足多元功能電力需求 DC/DC轉換器簡化手持裝置供電設計

2007 年 03 月 02 日

運用智慧分割選擇最適製程 有效提升WiMAX晶片整合度

2007 年 03 月 29 日

應用MIMO模式 WiMAX Wave2有效提升效能

2008 年 02 月 25 日

新一代高頻寬示波器性能躍進 SAS-3電氣驗證省時省力

2015 年 06 月 01 日

數位量測儀器功能多樣化 任意波訊號產生器操作更直覺

2020 年 12 月 31 日

麵包板靈活加速產品開發(2)

2023 年 10 月 17 日
前一篇
高階智慧手機訂單湧進 友達LTPS/OLED營收可期
下一篇
太克擴展高效能混合訊號示波器產品系列