準確量測功率轉變 IGBT力降開關/傳導損耗

作者: Lee Bourns
2022 年 11 月 14 日
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的性能和效能可以透過其在導通(ON)和截止(OFF)狀態之間轉換時的開關損耗及傳導損耗來進行量化。典型性能較高的IGBT由同一個半導體封裝中的IGBT和二極體構成。IGBT和二極體都會產生組合損耗,需要考量它們的相互作用。...
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