瑞薩第七代IGBT產品適用於太陽能發電設備

2012 年 08 月 01 日

瑞薩電子(Renesas Electronics)新發表十三款第七代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產品,包括650伏特(V)的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝置,適用於太陽能發電機與工業馬達的功率調節器(功率轉換器)等處理高電壓及大電流的設備。
 



第七代技術以強化薄型晶圓製程為基礎,權衡傳導、切換損耗及穩定效能而達到低損耗,且提高短路耐受能力。相較於第六代技術的600V與1200V系列產品,第七代產品系列具有較高的額定電壓650V與1250V,能因應低操作溫升及過電壓耐受能力之需求。
 



瑞薩IGBT適用於馬達控制應用。在這些情況中,裝置的短路耐受能力,是設計上的關鍵參數。第七代IGBT系列具備10微秒(µs)額定短路耐受能力,因此可廣泛應用於馬達控制。
 



近年來,在環保與其他因素的考量下,促使高能源效率的電子設備需求增加,並持續推動太陽能與風力發電等潔淨能源,針對高電壓及大電流的設備也持續努力提升其能源效率,例如太陽能逆變器、噴水幫浦及大電流變頻器控制馬達。
 



為了大幅降低上述設備的直、交流轉換損耗,高效能的IGBT產品需求於是增加。但是這必須權衡其飽和電壓,這個參數是在大電流操作下達成低損耗以及高短路電流耐受能力的關鍵。以往無法兼得低損耗與高達約10微秒的短路耐受能力,為因應此需求,瑞薩開發出高效能IGBT。
 



瑞薩電子網址:www.tw.renesas.com

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