半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣佈推出七款採用HSON封裝之功率金屬氧化物場效電晶體(Metal-oxide-semiconductor Field-effect-transistor, MOSFET)，適用於汽車電子控制單元，例如引擎管理及電子幫浦馬達控制等應用。
新產品包括額定電壓40伏特(V)及60伏特的N通道金屬氧化物場效電晶體(N Channel MOSFET)，及額定電壓–30伏特的P通道金屬氧化物場效電晶體(P Channel MOSFET)，可應用於各類螺線管、馬達開關或電池正負極逆向保護。新款產品具有下列特色：採用HSON封裝，尺寸為現有TO-252封裝的一半；直流電耐壓可達75安培；支援動作溫度最高可達175°C。特別是NP75N04YUG產品可處理75安培的連續電流，以及超低的4.8 mΩ最大額定導通電阻，在業界目前採用同等級封裝之車用金屬氧化物場效電晶體中，效率等級最高之產品。
車用電子控制單元的數量逐年增加，對於模組體積小型化、輕量化及功能最大化的需求也隨之增加。瑞薩電子新推出的金屬氧化物場效電晶體產品，專為符合小型化、高功率密度系統的需求而設計。新開發的8接腳HSON封裝品質適用於汽車電子系統，並可維持與體積較大之TO-252封裝金屬氧化物場效電晶體產品相同效能。
瑞薩電子網址：tw.renesas.com
