砷化鎵PA供貨不穩 CMOS PA趁虛而入

作者: 王智弘
2011 年 01 月 27 日

有鑑於智慧型手機出貨量快速增長,而採用砷化鎵(GaAs)製程的3G手機功率放大器供貨卻捉襟見肘,CMOS功率放大器業者遂趁勢出擊,並以媲美砷化鎵功率放大器的效能及腳位相容的產品策略快速搶進,期搭上智慧型手機成長列車,為CMOS功率放大器搶占一席之地。
 


Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示,該公司已擁有七十多項CMOS功率放大器的技術專利,為全球之最。





基於互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術的手機功率放大器( PA)攻勢再起。Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示,長久以來,砷化鎵功率放大器一直有著供應短缺和高成本結構的問題,因此,行動裝置製造商亟需一種可替代的技術方案,而該公司所開發出的CMOS功率放大器,功能與腳位均與砷化鎵功率放大器完全相容,可使行動裝置製造商輕易將設計轉移至CMOS技術,從而獲得更低的成本與更可靠的供應鏈。
 



事實上,目前市場上所有的3G功率放大器產品仍以砷化鎵技術為主,但由於智慧型手機成長飛快且每支手機所需的3G功率放大器數量為2G手機的四至六倍,整體需求量更為龐大,即便砷化鎵業者已盡力擴充產能,仍舊經常發生供不應求的窘境,因而成為CMOS功率放大器業者見縫插針的絕佳時機。
 



為搶攻3G行動裝置市場,Black Sand已研發出BST34與BST35兩大3G CMOS功率放大器產品線,並採用台積電130奈米製程生產出六款涵蓋多個頻段的解決方案。其中,BST34系列是專門設計來取代現有3G砷化鎵功率放大器的簡易方案,因此功能與腳位與其完全相容。而BST35系列則導入該公司專屬的TrueDelivered高效能功率檢測器,可提高總輻射功率(TRP)至2dB以上,並可在實際工作環境中降低掉話率,及提高數據傳輸速率,不論輸出功率、線性度、效率和雜訊等效能指標均可達到,甚至超越砷化鎵方案。
 



Nohrden指出,與砷化鎵技術相比,CMOS功率放大器係使用標準的矽材料,而非稀有的金屬進行製造,且和現今砷化鎵業者合計的總產能相比,CMOS功率放大器擁有更強大的晶圓廠產能奧援,因此,不會像砷化鎵一樣再三出現短缺情形。此外,也可藉由類比和數位電路的設計,來保護敏感的電晶體,從而提高元件的可靠性。
 



兩個系列的首款產品將於2月供應樣品,並於第二季開始量產,而其餘產品也將在第二季陸續推出。Nohrden表示,目前Black Sand的產品主要將鎖定採用寬頻分碼多重存取(WCDMA)技術的3G行動裝置應用市場,尤其是以智慧型手機為主,目前正與電信業者洽商相關測試事宜。一旦WCDMA方案成熟後,也將投入CDMA2000 1xEV-DO及中國大陸3G標準分時-同步分碼多重存取(TD-SCDMA)等市場。
 


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