突破深次微米製程技術 DFM引領奈米IC設計新風潮

作者: 王智弘
2006 年 10 月 03 日
當製程技術進入90奈米後,半導體物理特性的變異,已非以往單靠晶圓廠或光罩廠的光學鄰近效應修正或相位移光罩等技術所能掌控,因而使得在設計初期即須考量後期製造問題的可製造性設計觀念開始萌芽,同時也為半導體產業鏈間的關係帶來新的轉變。
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