極小化研發工作和成本、耐用且高效的運行是現代電力電子系統對於中壓氮化鎵(GaN)開關的關鍵要求。英飛凌(Infineon)根據其戰略性設計的GaN產品系列，不斷加強全系統解決方案，推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極(SG)HEMT的性能，但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用，包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及D類音訊放大器等。
1EDN71x6G版本配備可選擇拉高與拉低驅動方式，無須閘極電阻，即可將波形和切換速度最佳化。因此，得以縮小功率級配置與減少BOM元件。驅動版本1EDN7116G適用於含有大量並聯的半橋式配置；驅動版本1EDN7146G可用於部分dv/dt受限的應用，如馬達驅動器或極小的GaN(高RDS(on)、低Qg)HEMT。每個版本的遮沒時間各自不同，會與建議的最短停滯時間、最小脈衝寬度和傳播延遲成正比。
真正的差分邏輯輸入(TDI)功能可消除低側應用中因接地彈跳而造成的錯誤觸發風險，且可使1EDN71x6G處理高端應用。此外，所有版本皆具有主動米勒鉗制功能以及下拉功能，可避免感應導通。這可為避免閘極驅動迴路中發生干擾提供額外的穩固性，特別是在驅動具有高米勒比的電晶體時。
此外，1EDN71x6G 還提供主動靴帶式鉗制，以免靴帶式電容器在停滯時間期間過度充電。這可提供靴帶式電源電壓調節，能保護高側電晶體閘極，無須額外的調節電路。如有需要(如在無法完全將PCB配置最佳化的情況下)，還可提供含有可調式負關斷電源的選配可程式設計電荷泵，藉以取得額外的米勒感應導通抗性。
