英飛凌(Infineon)宣布推出全新650伏特CoolMOS C6/E6金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，結合超接面(Super Junction)技術，低導通電阻及降低電容切換損失的優勢、簡單易用的切換控制與高度耐用的二極體。C6和E6系列採用相同的技術平台，前者是專為簡單易用而設計，後者則提供最高的效率。
CoolMOS C6/E6系列是英飛凌採用高壓超接面技術的第六代MOSFET產品，提供快速且可控制的切換效能，支援對效率及功率密度有高度需求的應用，且易於進行設計(Design-in)，適用於各種節能的交換式應用，例如筆記型電腦的變壓器、太陽能及其他需要額外擊穿電壓電位差的交換式電源供應器(SMPS)應用產品。
英飛凌HVMOS功率離散式元件產品線經理Jan-Willem Reynaerts表示，新款系列產品讓CoolMOS系列更臻完善，為650伏特的其他應用需求提供第六代CoolMOS技術。對於採用C3系列產品的客戶，CoolMOS C6/E6提供了絕佳的升級選擇。
相較於CoolMOS C3 650伏特系列，新650伏特CoolMOS C6/E6系列的輸出電容Eoss可減少儲存電力達20%，而C6/E6經過改良的本體二極體，在對抗硬式整流(Hard Commutation)時，顯示高度的耐變性，並可減少25%的逆向回復電荷。C6/E6系列產品的閘級電阻經過調整，設計能夠維持平衡，因此切換時不會出現過電壓及電流斜率。
IPA65R280C6/IPA65R280E6(280mΩ，採TO220 FullPAK封裝)及IPA65R380C6/IPA65R380E6(380mΩ，採TO220 FullPAK封裝)。目前已推出樣品。新款C6/E6 650伏特系列的首批產品將於2010年7月開始量產。此產品線將逐步擴大，預計於2010年年底完成。
英飛凌網址：www.infineon.com
