英飛凌新推OptiMOS源極底置功率MOSFET

2022 年 02 月 23 日

英飛凌(Infineon)推出了新一代OptiMOS源極底置(Source-Down, SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。新款功率MOSFET採用PQFN封裝,尺寸為3.3×3.3mm2,支援從25V到100V的寬電壓範圍。可實現高效率、高功率密度以及熱性能指標,並降低BOM成本。應用涵蓋馬達驅動,適用於伺服器、電信和OR-ing的SMPS,以及電池管理系統等。

與傳統的漏極底置(Drain-Down)封裝相比,最新的源極底置封裝技術能夠讓元件的外形尺寸接近於裸晶片。漏極底置封裝採用源極底置封裝可使RDS(on)降低30%,這一技術創新能夠為系統設計帶來的主要優勢包括:縮小外形尺寸,從SuperSO8 5×6mm2封裝轉變到PQFN 3.3×3.3mm2封裝,可減少約65%的占板空間,進可提高終端系統的功率密度和系統效率。

此外,在源極底置封裝中,熱量透過導熱墊傳遞到PCB上,而非透過銲線或銅夾,以此來改善散熱效果。這也使得結殼熱阻(RthJC)從1.8K/W降到了1.4K/W,降幅超過20%,實現熱性能。英飛凌提供兩種不同尺寸版本和配置選項:SD標準閘極和SD中央閘極。在標準閘極配置中,電氣連接的位置保持不變,方便將標準的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝;而在中央閘極配置封裝中,閘極引腳被移到中心位置以便於多個MOSFET並聯。

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