英飛凌(Infineon)宣布針對高電流汽車應用,推出具備全球最低導通電阻(RDS(on))的30伏特(V)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。全新OptiMOS-T2 30V MOSFET–IPB180N03S4L-H0,採用D2PAK-7封裝,可以最少的成本提供高額定電流及最低導通電阻,滿足客戶對標準封裝功率MOSFET的需求。
OptiMOS-T2產品以英飛凌強大的第二代功率MOSFET溝槽(Trench)技術為基礎,非常適用於高電流汽車馬達驅動應用、電子動力轉向(EPS),尤其是啟動/停止功能。
基於對成本及效率的需求,採用溝槽式概念是業界必然的趨勢。相較於從前的技術,採用MOSFET溝槽技術(如OptiMOS-T2),在導通電阻與閘電荷兩方面皆有顯著改善,進而產生業界最低的優值係數(FoM)。此外,英飛凌創新的高電流「Powerbond」技術突破MOSFET的銲線(Wirebond)限制,可減少銲線的導通電阻壓降,並提升電流能力。藉由維持更加冷卻的銲線,進而提升產品的可靠度。最新的Powerbond技術能於單一MOSFET中進行高達四個雙針腳500微米(μm)銲線,以及在標準封裝中使用180A額定電流。
OptiMOS-T2技術及堅固耐用的封裝設計,可於MSL1(Moisture Level 1)時的迴銲期間,承受260 °C的高溫,並支援符合有毒物質禁用指令(RoHS)標準的無鉛電鍍。 IPB180N03S4L-H0 MOSFET完全符合汽車電子協會(AEC-Q101)的規範。英飛凌的先進溝槽技術,提供低閘電荷、低電容、低切換耗損及絕佳的優質係數(FOM),將電動馬達的效率提升至新高峰,同時將電磁幅射量(EMC)降至最低。此外,經過最佳化的閘電荷,還可支援更小的驅動器輸出階段。
IPB180N03S4L-H0支援需要多個並聯MOSFET進行運作的高電流應用(500A以上)。由於IPB180N03S4L-H0提供180A額定電流,因此可為高電流系統減少一個所需的並聯MOSFET,以最佳化電流分享、溫度特性及成本。隨著汽車電動馬達改為以脈衝寬度調變(PWM)控制來提升效率,OptiMOS-T2 30V產品也可透過反向連接來提供電池保護。
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