蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

推動汽車分散式安全應用 FlexRay備受期待

2005 年 06 月 02 日

PCI-E專欄:帶動PC演進的新介面 PCI Express普及化超乎想像

2005 年 09 月 15 日

眼圖/BER助陣 高速串列通道訊號品質提升

2010 年 09 月 30 日

雙相位鎖定迴路助力 數位中頻系統擺脫時鐘抖動

2013 年 02 月 24 日

無回饋通道突破電壓限制 返馳控制器空間大精省

2020 年 01 月 07 日

革新傳統返馳式架構 新電源轉換器無縫多工傳輸

2022 年 02 月 12 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體