賽普拉斯(Cypress)發表2Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體(non-volatile Static Random Access Memory, nvSRAM），將賽普拉斯的nvSRAM系列產品線從16Kbit擴展至8Mbit。此全新元件具備20奈秒的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期還有長達20年的資料維持等產品特色，可為須要持續高速寫入資料與絕對非揮發資料安全等應用提供最佳解決方案。需要nvSRAM功能的系統包括伺服器、磁碟陣列(RAID)的應用、環境嚴苛的工業控制以及在汽車、醫療、以及數據通訊系統。
CY14B102 2-Mbit nvSRAM與CY14B108 8-Mbit nvSRAM符合危害物質禁用指令(RoHS)環保規章，能直接取代SRAM、電池供電SRAM、EPROM與EEPROM等元件，不須使用電池就能提供可靠的非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把SRAM儲存的資料傳送到元件的非揮發儲存元件；在啟動電源時，再把資料從非揮發記憶體回存到SRAM。兩種作業都在軟體的控制下執行。新款nvSRAMs採用賽普拉斯的S8 0.13微米矽氧化氮氧化矽(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon, SONOS)嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度並能改善存取時間與效能。
CypressRobert Dunnigan非揮發性記憶體事業部副總裁表示，藉由擴增至2與8Mbit的nvSRAM元件，nvSRAM提供高速非揮發性記憶體產品及各種密度更高元件的解決方案，讓各種新應用產品可充份利用其優勢。此款2Mbit與8Mbit的nvSRAMs產品提供一個即時時脈功能，結合業界最低的待機振盪器電流和最高效能的整合式記憶體，可經由非揮發性記憶體支援，為發生事件對加上時間戳記。
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