賽普拉斯(Cypress)發表一款全新4Mb非揮發性靜態隨機存取記憶體(non-volatile static random access memory, nvSRAM)，具15奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期，還有長達20年的資料維持等產品特色，適合須持續高速寫入資料與絕對非揮發資料安全等應用，包括磁碟陣列(RAID)的應用、環境嚴苛的工業控制及在汽車、醫療、數據通訊系統中的資料記錄功能。
nvSRAM為快速、非揮發性記憶體提供替代方案。相較於電池備援的SRAMS，nvSRAM所需電路板空間更少、設計複雜度更低，而且比MRAM或鐵電記憶體(FRAM)更為經濟實惠。此最新產品也是賽普拉斯推出一系列nvSRAMs中的最新產品，包括256Kb與1Mb的nvSRAM元件，且皆已量產供貨中。預計2008年上半季將陸續發表更多產品。
新產品採用S8 0.13微米矽氧化氮氧化矽(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon, SONOS)嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度，並能改善存取時間與效能。該公司未來亦會將S8技術運用在下一世代的PSoCR混合訊號陣列、OvationONS雷射導引感測器(Navigation Sensors)、可編程時脈及其他產品上。SONOS除高度相容於標準型CMOS技術外，還具備許多優點，包括高耐用度、低功耗、抗輻射。此外，與其他嵌入式非揮發性記憶體技術相較，SONOS可提供更穩定、兼具量產規模與經濟效益的解決方案。
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