飛利浦嵌入式EEPROM在密度和功耗方面達到突破性進展

2004 年 02 月 11 日

飛利浦日前針對其0.18 μm CMOS18處理技術發表新款低電壓低功率的EEPROM?品,致力滿足業界在智慧卡應用以及消費、通信和汽車市場應用中對高儲存量和高彈性的需求。
 

具有一個只有1.2 平方微米、比傳統EEPROM小4倍的儲存分子,飛利浦新的嵌入式儲存技術在矽片上提供了多達2 Mbits (256 Kbytes)的EEPROM,完全符合智慧卡應用的成本控制。
 

另一個影響應用中使用壽命和低成本的重要因素,是飛利浦已經成功地將非流失性記憶體技術從0.18微米縮小至0.15微米,而且將移至0.13微米,並在將來進一步發展到100奈米以下。這款新的EEPROM具有移植到新一代CMOS處理技術的能力,確保了客戶之前投資的IP設計可以在將來重新使用,從而提供了一個向需求更高儲存容量和多功能應用發展的低成本方式。
 

飛利浦最新EEPROM流程儲存單分子採用了與其經過檢驗的電晶體NOR分子快閃記憶體技術類似的設計,該技術在編程和去除方面均採用Fowler-Nordheim電子通道以實現低功耗。主要的區別是,增加記憶體電晶體的閘區以增加電荷注入、對擦除分布和讀取門限電壓更嚴密的控制,以及在編程電壓方面有一定的增加。這些設計上的改變使飛利浦在 Fowler-Nordheim通道裝置上的字元擦除時間突破性地降低到1毫秒以內。與實現5平方微米典型分子尺寸的傳統0.18微米EEPROM技術相比,飛利浦新的嵌入式EEPROM單元只有1.2平方微米-比業界傳統的EEPROM技術小了4倍。
 

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