飛思卡爾要為工業、科學及醫療應用開發高電壓RF功率技術

2006 年 06 月 16 日

飛思卡爾半導體日前公開表示要以新開發的高電壓RF功率技術,以及最先進且符合成本效益的超模壓塑膠封裝技術,來拓展工業、科學及醫療的市場。此外,該公司也要將它在通訊及封裝技術的領導地位延伸到醫療市場,其所憑藉的便是同時針對HF/VHF頻帶(10-450 MHz)及2.45 GHz ISM 頻帶所設計的電晶體。
 


 

此次版圖擴張肇始於50V VHV6 RF LDMOS技術的研發(第6代超高電壓RF橫向擴散金屬氧化半導體, LDMOS),此項技術為飛思卡爾旗下的28伏特LDMOS技術改良而成的50伏特版本。飛思卡爾表示,將LDMOS技術的供電壓提升至50伏特,使工程師能夠取得更高的功率、其性能也超過現今市面上任何ISM產品。此外,超模壓塑膠封裝元件的出現,提供最符合成本效益的醫療解決方案。
 


 

飛思卡爾最頂級的ISM產品是MRF6V2300NB,為一款300瓦、使用50伏特LDMOS電晶體,其操作頻率可達 450MHz,並且以TO-272-WB-4超模壓塑膠方式封裝。該元件的增益比高達27dB、效率達68%。這麼好的效能足以讓醫療系統設計者省下任何增益層級,因而降低整體系統成本、並簡化電路板面積。除了性能之外,該元件的強固容忍度達10:1的VSWR。
 


 

飛思卡爾正朝兩種截然不同的醫療頻率市場進攻:一為HF/VHF的市場、另一為2.45 GHz ISM頻帶的市場。對於位在10到450 MHz之間的HF/VHF頻帶,飛思卡爾提供3款使用VHV6 50V LDMOS技術的電晶體。這3款產品包括旗艦級的MRF6V2300NB以及MRF6V2150NB (150瓦、69%的效應比以及25dB的增益值)與MRF6V2010NB (10瓦、百分之68的效應比以及25dB的增益值)。至於2.45 GHz的醫療頻寬方面,飛思卡爾則提供另外3款使用28伏特LDMOS技術的元件:MRF6P24190H (190瓦、46%的效應比以及13dB的增益值)、MRF6S24190H (140瓦、46%的效應比以及13dB的增益值)以及MW6IC2420NB (兩段式20瓦、21%的效應比以及21dB的增益值)。
 


 

以上6種ISM元件均已有樣品面世。此外,3種2.45 GHz的元件亦已量產。MRF6V2150NB預計於2006年8月全面量產,MRF6V2300NB與MRF6V2010NB也預計於2006年第四季量產。
 


 

飛思卡爾網址:www.freescale.com
 

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