飛思卡爾首度推出商用MRAM技術已經量產

2006 年 07 月 13 日

飛思卡爾半導體日前發表業界首款商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件,並已投入量產。
 

飛思卡爾的400萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體,這種高速且耐用的特性組合是任何半導體記憶裝置都無法提供的。該元件以一百多項飛思卡爾的MRAM專利技術為基礎,其中也包括交替位元轉換(Toggle-bit Switching)技術。
 

MRAM將磁性材質與傳統矽晶電路結合,在單一元件中提供具備SRAM速度等級的非揮發性快閃記憶體。飛思卡爾成功推出此項技術的商業應用後,便可促使新一代的電子產品在尺寸、成本、功率消耗及系統性能上獲致重大的進展。
 

這款名為MR2A16A的飛思卡爾首創商用MRAM產品,非常適合用於網路、安全、資料儲存、娛樂遊戲及印表機等多種商業應用。該元件在設計上,便是希望成為可靠、經濟的單一元件,以取代使用電池驅動的SRAM裝置。本元件也可用於緩衝記憶體、組態儲存記憶體,以及各種需要高速、彈性及非揮發性MRAM的應用。
 

飛思卡爾半導體網址:www.freescale.com
 

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