三星日前發布基於8nm製程的RF技術，此技術可望實現5G的單晶片解決方案，用於多頻道與多天線設計。此8nm製程已經用在多項RF相關的解決方案中，其中也包含28nm及14nm製程的RF天線。
隨著先進製程技術提升，數位IC的效能、功耗與面積(PPA)大幅改善，而類比IC受到寄生效應影響，例如線寬窄導致電阻增加，故電路微縮的進展始終不如數位IC。因此，多數的通訊晶片常出現RF功能衰退的問題，包含接收頻率受損，或者功耗增加。
為了克服類比/RF晶片遇到的挑戰，尤其是RF晶片的擴充性，三星開發RFextremeFET (RFeFET)架構，可提升RF晶片的功能，同時降低功耗。與14nm的RF晶片相比，RFeFET架構可以強化數位晶片PPA，並且補足類比/RF晶片功能的耗損，建構高效能5G平台製程提升可以優化通道移動率(Channel Mobility)，降低寄生效應。隨著RFeFET提高5G效能，可以減少類比/RF元件在RF晶片中占用的面積。與14nm的RF晶片相比，8nm的晶片可以最多提高35%的能源使用效益，並減少35%的RF晶片面積。
