三星推8nm RF晶片 類比晶片效能瓶頸有解

作者: 吳心予
2021 年 06 月 10 日

三星日前發布基於8nm製程的RF技術,此技術可望實現5G的單晶片解決方案,用於多頻道與多天線設計。此8nm製程已經用在多項RF相關的解決方案中,其中也包含28nm及14nm製程的RF天線。

三星發布8nm RF IC (圖片來源:三星)

隨著先進製程技術提升,數位IC的效能、功耗與面積(PPA)大幅改善,而類比IC受到寄生效應影響,例如線寬窄導致電阻增加,故電路微縮的進展始終不如數位IC。因此,多數的通訊晶片常出現RF功能衰退的問題,包含接收頻率受損,或者功耗增加。

為了克服類比/RF晶片遇到的挑戰,尤其是RF晶片的擴充性,三星開發RFextremeFET (RFeFET)架構,可提升RF晶片的功能,同時降低功耗。與14nm的RF晶片相比,RFeFET架構可以強化數位晶片PPA,並且補足類比/RF晶片功能的耗損,建構高效能5G平台製程提升可以優化通道移動率(Channel Mobility),降低寄生效應。隨著RFeFET提高5G效能,可以減少類比/RF元件在RF晶片中占用的面積。與14nm的RF晶片相比,8nm的晶片可以最多提高35%的能源使用效益,並減少35%的RF晶片面積。

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