力積電WoW製程突破AI資料量/傳輸頻寬瓶頸

作者: 廖專崇
2024 年 07 月 08 日

人工智慧(AI)的話題在Computex 2024發酵,在ChatGPT正式點燃生成式AI的熱潮之後,科技產業更掀起AI商機卡位戰。力晶積成電子(PSMC)參與Computex 2024並參加台灣先進車用技術發展協會(TADA)汽車科技主題館(Taiwan Automotive Tech Pavilion),展示晶圓堆疊晶圓(Wafer on Wafer, WoW)製程解決方案,協助廠商搶占AI商機。

力積電技術長室技術處長葛永年表示,WoW可以縮短記憶體與處理器的距離,每單位容量可以得到10倍的頻寬,而且每位元的移動能量僅1/10

AI在Computex 2024颳起一陣旋風,在相關應用逐步落地的過程中,所有人都在尋找未來商機,力積電技術長室技術處長葛永年表示,除了雲端的AI之外,此次展覽中,更多廠商的技術主管,談論的都是邊緣(Edge)AI,包括AI PC、AI手機、智慧音箱(Smart Speak)等終端產品都要導入AI,Transformer模型會創造巨大的需求。

未來AI模型隨著技術的發展,參數量將快速膨脹,2023年之前的AI模型大概是以十億(B)為單位,2024年的AI模型參數已經以兆(T)為單位,葛永年指出,針對AI模型參數的成長,首先要有足夠的儲存容量,針對推論結果Token的反應,也要有足夠的頻寬可以傳輸,所以在滿足容量與頻寬的需求之下,每單位容量能分享的頻寬是更重要的原則。

所以在容量與頻寬利用率上,透過半導體製程的協助,讓資料存取與傳輸更有效率,是近年業界討論的熱門話題,葛永年說明,過去處理器與記憶體在晶片上的布局通常以一維方式連接,在同一個平面上,相鄰的兩個晶片透過電路連接,在狹小的空間裡連接更多電路取得盡量多的頻寬,而新設計混合鍵合(Hybrid Bonding)是晶片連接的革命性技術,該技術又稱為直接鍵合互連(Direct Bond Interconnect, DBI),讓兩顆晶片透過二維的方式直接黏在一起,兩個晶片覆蓋介電材料如二氧化矽(SiO2),介電材料嵌入與晶片相連的銅接點,接著將兩晶片接點面對合,最後透過熱處理讓兩晶片銅接點受熱膨脹對接。

簡而言之,葛永年進一步解釋,透過混合鍵合技術的晶圓堆疊晶圓(Wafer on Wafer, WoW)製程,與使用HBM需借助中介層(Interposer)的製程相較,WoW可以大幅縮短記憶體與處理器的距離,每單位容量可以得到10倍的頻寬,而且每位元的移動能量僅1/10。

葛永年說,PSMC擁有兩座8吋和四座12吋晶圓廠,提供先進記憶體、客製化邏輯積體電路和分立元件的代工服務。用於CNN的單層DRAM-Tile WoW,使用3D WoW製程將AI運算邏輯和高頻寬DRAM整合在一起。透過近記憶體計算,解決AI應用中遇到的記憶體頻寬和能耗問題。PSMC並演示晶片AIM300包括兩個工研院DLA人工智慧引擎,每個引擎具有2048個和256個MAC單元,採用40奈米邏輯製程,以及十六塊25奈米PSMC DRAM 128Mb,總容量為2Gb。透過TSV和混合鍵合,整合到單一3D封裝中,提供16GB/s高速記憶體存取和1TOP效能。AIM-300的記憶體存取能耗低於1pJ/bit,整體功耗低於1W,適用於Edge和Device上的AI影像辨識應用。

另外,LLM/GAI的多層DRAM-Cube WoW為晶圓級系統整合AI設計與製造服務平台,整合28奈米邏輯、21奈米DRAM和晶圓堆疊製程技術,具有增加頻寬、減少延遲、高性能、低功耗等優勢功耗,適合需要大頻寬的應用,如人工智慧、網路、影像處理等。

PSMC建構IP設計服務生態系統,開發邏輯晶片和DRAM垂直異構鍵合製程,並共同開發下一代AI應用所需的新型DRAM架構。邏輯與記憶體的融合,在晶圓級系統整合AI設計與製造服務中,將降低AI晶片開發的進入門檻。

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