增加逆變器轉換效率 IGBT升級650V阻斷電壓

2012 年 08 月 09 日
市場對太陽能發電系統轉換效率要求不斷提高,促使太陽能逆變器開發商尋求具備更高崩潰電壓的元件;而耐壓達650伏特的IGBT,由於可配合太陽能面板匯流排的電壓峰值,且擁有較大的設計餘裕(Margin),因此成為業者傾向採用的元件。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

iPhone畫面幕後功臣 3D顯示晶片當之無愧

2010 年 08 月 16 日

導入防護機制 鋰電池充電安全更上層樓

2011 年 07 月 25 日

加強觸控模組與面板同步 觸控IC克服雜訊干擾問題

2013 年 05 月 02 日

MCU/WiFi模組共織救生網 火災煙聯網整合偵測與引導

2020 年 04 月 16 日

電子標籤滿足防篡改/隱私需求 NFC/HF RFID安全助疫

2021 年 09 月 13 日

AI身分識別加速超商取貨

2023 年 04 月 20 日
前一篇
建築能源管理系統上雲端 Smart City加速成形
下一篇
康橋半導體創辦人獲英國皇家工程院銀質獎章