專訪慧榮產品企劃部協理黃士德 3D NAND快閃記憶體蓄勢待發

作者: 詹益瑋
2017 年 10 月 21 日
直至2017年前半,3D NAND快閃記憶體由於產能持續緊縮、發展不如預期,受到越來越多質疑。所幸,隨著美光(Micron)、三星等各大記憶體供應商觸及64層,找到穩定產能的甜蜜點,供給正逐漸回穩,並朝更高層數邁進。儲存容量/效能與日俱增,黃士德指出,追求更強的偵錯機制/傳輸頻寬也無可避免。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

搶攻3G/WiMAX/RFID市場 凌力爾特推出LT5557與LT5575

2007 年 03 月 02 日

專訪台灣英飛凌副總裁暨執行董事詹啟祥

2011 年 01 月 06 日

迎向智慧製造 感測系統大翻新

2019 年 01 月 31 日

三大戰略循序漸進 賽靈思力建自適應運算新時代

2020 年 01 月 20 日

確保終極憑證自始可信 IoT安全設計須從晶片起

2021 年 12 月 28 日

解析Foundry Direct Connect 2025大會:英特爾的晶圓代工復興大計

2025 年 05 月 01 日
前一篇
A-SSCC論文錄取率台灣奪冠 IC設計研究成績質量兼顧
下一篇
專訪亞旭電腦業務總部資深處長林義超 亞旭強攻藍牙mesh智慧家庭應用