專訪英飛凌工業電源控制事業處總裁Peter Wawer SiC元件帶來電源設計新時代

作者: 黃繼寬
2017 年 09 月 17 日
過去幾年來,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等新型化合物半導體的成長十分顯著。而近期SiC電晶體製造成本的進一步改善,則是一個新舊時代的分水嶺,也是 SiC功率半導體的轉捩點,因為相關元件可望成功量產,並實作於各種應用的電子設計中。
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