恩智浦推出高速RF輸出功率元件

2008 年 12 月 01 日

恩智浦(NXP)推出針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2G～1.4GHz的頻率之間提供高達500瓦的突破性的射頻(RF)輸出功率。
 



針對大範圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率電晶體設置了新的效率標準(漏極效率大於50%)、增益(17Db)和達500瓦的耐用度。
 



恩智浦半導體RF功率產品線全球產品市場經理Mark Murphy表示，身為第一家推出L波段和S波段應用的LDMOS的公司，恩智浦高效能的LDMOS RF功率電晶體產品線建立了一個嶄新的業界標準，為客戶提供市場上表現優異和最耐用的電晶體。將RF輸出功率提高至500瓦的技術突破，可使恩智浦推出易於導入設計並縮短上市時間的電晶體產品。
 



恩智浦網址：www.nxp.com

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