意法半導體(STMicroelectronics)推出一款新的功率金屬氧化半導體場效應電晶體(MOSFET)STV300NH02L，具有極低的微歐姆導通電阻特性，對要求嚴格的電源供應系統而言，將有助於降低損耗並提升效率，新推出的高電流N型通道MOSFET是專為並聯供電而設計的，並聯供電廣泛地使用在伺服器應用以提升系統的可靠性。
該公司開發一項創新的Ribbon-bonding技術，典型導通電阻Rds(on)極低，只有800微歐姆，為高電流的MOSFET設立新工業基準。這款20伏特的產品是降低高效能DC/DC轉換器二次側功耗(Ssecondary Rectification Losses)的理想選擇，提供卓越的短路保護功能及極短的Td(off)(Turn-off Time)。
並聯供電常使用於關鍵系統以提供備用的電源供應，或用於提升電源輸出功率。以前二極體常被使用在這個功能，為達到更高的效能，MOSFET現在已取代二極體，如今功耗極低的STV300NH02L在電源效率上又顯著地向前邁出一大步。
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