隨著全球高效能源、電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速增長，第三類半導體材料中的碳化矽(SiC)仍為各大產業實現高效轉換的關鍵核心。格棋化合物半導體表示，雖短期市場面臨終端調整與供應鏈去化壓力，但碳化矽市場中長期前景依然明確，全球正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期。格棋今日宣布將於第四季正式興櫃，持續以技術創新與產能韌性強化全球供應鏈布局，深化與國際客戶的合作基礎。
根據Yole Group於2025年最新發表的《Power SiC 2025》市場報告，全球碳化矽功率元件市場預計將於2030年突破103億美元，2024至2030年年均複合成長率達20.3%。報告指出，6吋碳化矽晶圓仍為現階段主流產線平台，與8吋碳化矽晶圓將於未來數年內長期共存，並依應用場域策略分布。
儘管業界高度關注8吋作為中長期擴產與降本的方向，但目前全球主流IDM與供應商皆以6吋平台為量產核心。報告亦指出，2025年全球6吋碳化矽晶圓仍占出貨主力，且在價格競爭下平均單價年跌幅超過30%，突顯其成本優勢與成熟度。
格棋為台灣少數具備從碳化矽長晶、晶棒加工至晶圓出貨的垂直整合材料廠，過去兩年投入自有設備與製程開發，聚焦四大核心技術：原材料物性控管、籽晶沾黏精度、熱場參數設計與模組結構穩定性。透過系統性最佳化，格棋有效控制結晶缺陷密度與應力變異，晶圓導電穩定性與良率皆達國際一線水準。
在產能部署方面，格棋預計於2025年底將長晶爐數量擴增至百台規模，搭配自主切割與檢測能力，建構可控交期、彈性擴產的完整量產體系。目前產品線已支援多項高功率應用，包括電動車主驅模組、光儲逆變器與AI高效伺服器，並陸續進入國際客戶驗證流程。
格棋董事長張忠傑強調，6吋平台現階段仍為公司量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢；同時，8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平台，確保良率穩定性與成本效益的最佳平衡。
格棋所布局的雙平台架構，讓其成為亞太區內少數可同時提供6吋成熟製程與8吋導入彈性之供應商，為國際客戶提供策略性選擇，也進一步奠定其在功率元件材料供應鏈中的關鍵角色。
為因應地緣政治變動與供應鏈重組挑戰，格棋導入「虛擬IDM(Integrated Device Manufacturer)」營運策略，整合原料來源、長晶、晶棒加工、設計驗證至終端應用夥伴，打造一站式碳化矽材料與模組整合服務。透過此模式，格棋不僅強化交期控制能力，也可依不同區域客戶需求進行在地支援與技術配套。
目前，格棋已同步啟動北美、日本與歐洲等區域合作計畫，未來將依據業務拓展進程設立技術服務據點，提供貼近需求的材料建議與應用支援，加速碳化矽在全球高功率應用的落地進程。
格棋董事長張忠傑表示：「碳化矽雖非『快速爆發型』市場，但具備長期技術壁壘與應用黏著度，是支撐能源轉型與高效電力傳輸的關鍵材料。面對全球進入新一輪競爭期，格棋將持續以核心製程深耕、全球鏈結布局，推動台灣第三類半導體產業升級。」
格棋預計將於今年第四季正式登錄興櫃，透過資本市場推進產能規模與研發投入，也進一步向市場釋出技術透明度與營運信心，期盼在產業發展與資本信任間，建立堅實的正向循環，為台灣在全球碳化矽材料鏈中打造更具韌性的戰略地位。
