瑞薩電子(Renesas Electronics)推出八款新型低損耗P通道與N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品–20伏特(V)(VDSS)µPA2600與30V µPA2601，專為智慧型手機與平板電腦等可攜式電子產品設計，皆備低損耗(低導通電阻)效能，並採用超小型2毫米(mm)×2毫米封裝，可為小型行動裝置提供高能源效率。
隨著高功能性智慧型手機大受歡迎，以及使用者對於這些手持裝置無縫體驗的期待，市場對於外形尺寸更短小輕薄、耗電量更低以提供更長電池使用時間的需求持續升高。為符合上述需求，研發人員轉而尋求具備更低導通電阻的功率MOSFET，以應用於大電流之充電/放電控制、射頻(RF)功率放大器開/關控制，以及過電流截斷開關。
µPA2600與µPA2601可使可攜式裝置更加小型化並提供低導通電阻，能同時在多種應用中縮小安裝面積，包括負載開關(開啟或關閉供應至IC的電源)、可攜式裝置中的充電/放電控制，以及RF功率放大器(高頻率訊號放大器)中的開/關控制與過電流截斷開關。此外，此新款功率MOSFET為環保產品，符合RoHS指令，並且不含鹵素。
各種裝置類型具備不同的電壓與極性，例如功率MOSFET，必須符合智慧型手機等可攜式裝置所使用的電源供應器規格。為因應上述持續變動的需求，瑞薩持續致力於降低導通電阻並開發更小型的封裝，同時提供更多樣化的產品系列。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com
