瑞薩科技(Renesas Technology)近日發表高效能的HA31010 2.4 GHz/5 GHz雙頻 SiGe MMIC(矽鍺微波單晶積體電路) HA31010，可做為無線區域網路終端傳輸功率放大用的功率放大器。日本地區將於 2006年6月起提供樣品。
為提供雙頻作業功能，此單晶片將結合一個支援IEEE802.11b/g無線區域網路標準的2.4 GHz頻段放大電路，以及一個支援IEEE802.11a無線區域網路標準的5 GHz頻段放大電路。與使用兩個單獨的瑞薩科技2.4 GHz和5 GHz SiGe MMIC相比，此一技術的架置面積減少近40%。
HA31010 具備高增益特性，除提供 SiGe MMIC 業界最低的電流耗損(Current Dissipation) 外，2.4 GHz頻段應用的功率增益為28 dB、電流耗損為130 mA，而5 GHz頻段應用的功率增益為24 dB、電流耗損為160 mA。
HA31010透過容易使用的矽鍺－互補金屬氧化半導體(SiGe-CMOS)製程，納入採用金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的交換電路。因此無需新增外部的交換裝置，就可以輕鬆執行2.4 GHz/5 GHz頻段放大電路的交換及發送/接收交換作業。此外，其待機電流低至0.1 μA或更低，可降低功率耗損。
主動執行低功率消耗的無線區域網路裝置，需要能自動控制輸出功率，以便在執行通訊作業時，將必要的輸出功率降至最低。HA31010 內含一個可做為此一功能感測器的輸出功率偵測電路，能減少零件的數量，並縮小架置板的面積。
HA31010 採用對IC晶粒接合可靠性及傳導性最有助益的銀膠(Silver Paste)材料，以及封裝電級電鍍用的錫-鉍(Sn-Bi, stannum-bismuth)，以實施完全無鉛的封裝。
瑞薩科技網址：www.tw.renesas.com
