英特爾(Intel)的製程節點命名雖然落後台積電、三星(Samsung)等晶圓代工業者，但在電晶體尺寸、密度方面，跟晶圓代工業者相比卻毫不遜色。該公司近日正式發表其最新的10奈米製程技術規格，不僅在節點命名方面追上同業，在電晶體密度、尺寸上更拉開其領先幅度。
英特爾執行副總裁Stacy Smith 19日在北京公開展示其10奈米製程晶圓，並表示該公司仍按照摩爾定律(Moore's Law)發展其先進製程技術，讓晶片具備更多功能及效能、更好的能源效率，並且降低電晶體的製造成本。英特爾高級院士Mark Bohr則指出，在10奈米製程條件下，該公司可在每平方公分面積上製造出超過1億個邏輯電晶體。與其他半導體製造業者如台積電、三星的10奈米相比，大約領先一個世代。
如果以英特爾的電晶體密度作為比較基準，台積電10奈米製程的密度約為0.48倍，三星則是0.51倍。
在電晶體特徵尺寸方面，英特爾10奈米3D FinFET的鰭片間距約為34奈米、閘極間距為54奈米、最小金屬間距則是36奈米、邏輯單元高度為272奈米。
英特爾計畫在2017年下半正式將10奈米製程導入量產。
