「英飛凌記憶體部門資深行銷經理Eugene Chang看好快閃記憶體市場發展，英飛凌對NAND與NOR兩者都不會放過」
可攜式電子產品的普及，帶動快閃記憶體市場迅速成長，因為其程式與資料的非揮性儲存，讓快閃記憶體成為最適合的儲存解決方案。為求搶食仍在不斷成長中的市場大餅，英飛凌與Saifun半導體合資成立英飛凌快閃記憶體公司也推出採用TwinFlash技術的快閃記憶體，並已於去年推出NAND記憶體產品，日前更推出256Mb的NOR快閃記憶體，企圖左右開弓，以一種技術搶食兩塊市場。
英飛凌記憶體部門資深行銷經理Eugene Chang表示，英飛凌的快閃記憶體TwinFlash技術是屬於MBC(Multi Bit Cell)快閃記憶體，主要是將電荷個別儲存在電晶體中的兩端，而儲存的資料亦可個別加以讀取、寫入並消除，因為是將二位元儲存於一個細胞體內，所提供的架構不僅成本低，寫入/讀取的速度快，還有密度高的優點。另一方面，由於一般快閃記憶體是採用浮動閘極(Floating Gate)的技術，以感應散在閘極上方的電荷數量為儲存資料的基礎，而英飛凌的TwinFlash則因為閘極結構比較簡單，因此光罩層數量也比較少，所以晶圓成本較低。
再者，英飛凌TwinFlash技術的快閃記憶體可以用現有製造DRAM的設備來生產，不用額外增加投資成本，因此使得每個晶圓的成本架構與DRAM相同。目前是採用0.17微米製程，預計在2005年6月將進入到0.11微米製程，同時密度將提升至2Gbit。而雖然其他競爭對手，如Intel已進入90奈米製程階段，Eugene Chang也表示，英飛凌的90奈米產品則要等到明年第一季才會問世，記憶容量為1Gb，而雖然製程晚於別人，但是成本並不會高於對手。
在應用領域上，英飛凌去年所推出NAND快閃記憶體中，包含3種讀取速度設計，可由客戶依其耗電使用的多寡來決定採用何種設計，應用領域從手機至車用電子都涵括其中。而在日前所推出的256Mb的NOR快閃記憶體，則是屬於高密度應用範疇，將可以滿足手機或是視訊轉換盒的NOR Flash所需。
由於英飛凌的TwinFlash技術可以用於NAND與NOR快閃記憶體上，因此英飛凌可以透過此彈性調整的技術，能隨時依據市場需求來調整生產資源。Eugene Chang也表示，英飛凌認為兩者的市場都還有成長空間，因此，英飛凌不會放棄任何一個，兩者都會切入，雖然其中都已有業者經營許久，但是他相信，客戶仍然會希望看到新的供應商出現，而這就是英飛凌的機會。
