華邦推出快閃記憶體新產品

2007 年 09 月 27 日

華邦電子(Winbond)以自行研發的WinStack 0.13微米製程,推出三款W19B系列的並列式快閃記憶體,將快閃記憶體應用的領域拓展至消費性及通訊等3C市場,16Mb/32Mb/64Mb為並列式快閃記憶體,其資料讀取速度皆可達70奈秒,16Mb/32Mb特性為Boot Block及Single Bank,而64Mb除可另外提供快速的分頁讀取模式(Page Mode)以加快資料讀取速度,也提供Boot Block和Flexible Bank的產品規格。
 



該公司1995年以WinFlash製程在6吋晶圓廠生產5伏特的快閃記憶體,為不斷提高產品競爭力,該公司於2003年在8吋晶圓廠以自行研發的WinStack 0.18微米製程,供應低容量的快閃記憶體–4Mb、8Mb FWH以及LPC。2007年,該公司推出以WinStack 0.13微米製程生產三款W19B系列的並列式快閃記憶體–16Mb、32M及64Mb,將記憶體應用領域擴大至消費性產品及網路通訊產品。
 



W19B160B/W19B320B的記憶體容量為16Mb和32Mb,其主要規格為–Erase Suspend/Erase Resume、Boot Block、Write-Protection、Hardware Reset,此外,32Mb提供Security Sector,讓重要的資料更加安全。這兩款產品皆操作在2.7~3.6伏特的工作電壓,提供x8/x16兩種資料傳輸頻寬,資料讀取速度達70奈秒。
 



W19B640C產品容量為64Mb,其特性為–x8/x16兩種資料傳輸頻寬,更快的20奈秒資料讀取模式(20ns Page Access Time)、Flexible Bank記憶體架構支援同時讀寫功能及Sector Protection,Top and Bottom Boot Block、Write-Protection、Hardware Reset等規格,工作電壓為2.7~3.6伏特。所有W19B系列的產品元件使用封裝的腳位及指令集皆符合美國電子工程設計發展聯合協會(Joint Electronic Device Engineering Council, JEDEC)標準。
 



華邦電子網站:www.winbond.com

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