諾發系統(NOVELLUS)發展了一種先進的Hollow Cathode Magnetron(HCM) IONX物理氣相沉積銅晶種製程技術，使得銅連結導線能延用在2x奈米結點以下的世代。這項技術的突破已在諾發系統高生產力INOVA平臺上驗證HCM PVD技術能繼續為沉積屏障層和薄膜晶種層應用所使用，進而避免導入較無生產力及昂貴的原子層級沉積(ALD)或化學氣相沉積(CVD)方法。
在與先進的邏輯和記憶體大廠合作下，諾發系統針對物理氣相沉積(PVD)懸突(Overhang)，階梯覆蓋及填洞能力的需求，已發展出創新的INOVA HCM濺鍍製程來控制電漿與磁場。藉由離子密度與離子能量的適當平衡，諾發系統先進的銅晶種製程可以順應均勻形沉積的填洞能力。此先進的銅晶種製程可降低在電鍍前的深寬比來增加電鍍後的填洞製程能力範圍。如鈷這種選擇性的ALD或CVD晶種附著層技術會增加電鍍前的深寬比及造成微空洞的可能。在屏障層與晶種層之間加入附著層，同樣增加金屬線的阻值及影響元件的速度。
諾發金屬整合事業群總經理Wai-Fan Yau表示，具有開創性的HCM技術將延伸銅晶種物理氣象沉積應用至22奈米及更先進晶圓技術節點，其能提供填入極微小的元件結構能力並增加元件的可靠度但不需要額外的化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)製程增加量產的成本。
諾發系統網址：www.novellus.com
