雙脈衝測試助力　DCP降MOSFET開關損耗

作者： 杜志德
2018 年 09 月 22 日
高電壓碳化矽MOSFET和二極體具有開關速度快、損耗低的特點。與使用矽元件的傳統功率轉換器相比，新的功率轉換器可以在更高的頻率下工作。更高的工作頻率和極低的開關和導通損耗會帶來多個系統級優化機會，包括效率和功率密度更高的功率轉換器。減小磁性材料尺寸和更簡單的熱管理設計也會導致系統總成本降低。雖然前幾代功率轉換器受到高壓矽開關速度和高損耗的限制，但新的快速開關和低損耗的碳化矽MOSFET和二極體幾乎消除了這一限制，為設計者提供了更新設計緊湊、高效、低成本的功率轉換器的機會。
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