互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)可望大舉進駐智慧型手機。手機晶片大廠高通(Qualcomm)日前宣布，其RF360射頻(RF)前端系列產品已悉數問世，並獲得全球超過十五家原始設備製造商(OEM)用於七十五款行動裝置設計。一旦順利量產商用，將有助擴大CMOS PA在智慧型手機市場的滲透率。
高通RF360前端解決方案正式獲中興旗艦級手機Grand S II LTE採用，意味其CMOS PA技術已可滿足長程演進計畫(LTE)市場的高頻操作性能需求，未來CMOS PA將於支援LTE及LTE-A載波聚合(CA)技術的行動裝置市場中大行其道，顛覆射頻前端產業版圖。
高通台灣區行銷總監李承洲表示，高通去年雖已發布RF360前端方案，但僅先推出封包功率追蹤晶片(Envelope Power Tracker)–QFE1100及可配置天線匹配諧振器(Configurable Antenna Matching Tuner)–QFE1510，至今年初整合天線切換器(Antenna Switch)的CMOS PA問世後，全系列產品才全數到位。
中興最新的旗艦機Grand S II LTE，係最先導入完整RF360方案的智慧型手機。此外，目前還有超過十五家OEM、多達七十五款的行動裝置已採用RF360進行導入設計，預計今年下半年或明年相關終端產品即可陸續出籠；顯見CMOS PA效能已可滿足LTE市場的高頻操作要求，未來在智慧型手機市場中的能見度將可顯著攀升。
據了解，由於全球通訊市場頻段需求分歧，高通將CMOS PA分為QFE2320及QFE2340兩種版本；前者支援六個中低頻頻段，後者則支援四個高頻頻段，因此行動裝置製造商可依照產品發布地區頻段變化，選擇任一顆導入或同時將兩顆整合至RF360前端方案中。
另一方面，QFE2320整合PA與天線切換器的設計可簡化繞線(Routing)、降低前端設計中的RF元件數，並縮小印刷電路板(PCB)占位面積；至於QFE2340則採用全球首次商用化的晶圓級奈米規格封裝(Wafer Level Nano Scale Package, WL NSP)，整合發送器/接收器(Transmitter/Receiver)模式切換器。
