看好氮化鎵(GaN)成長商機，德州儀器(TI)積極布局，於近期推出一款功率可達600瓦的氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)功率級工程樣本–LMG3410。與基於矽材料FET的解決方案相比，此一產品與該公司的類比和數位電力轉換控制器相結合，能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能更高的設計，以滿足隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用。
德州儀器Broad Market Power副總裁暨總經理Hagop Kozanian表示，伺服器/通訊之交流-直流(AC-DC)供應及機架式直流電源分配(Racl-mount DC Power Distribution)兩大應用市場，將是驅使GaN FET成長的關鍵因素。其原因在於，採用矽製造的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，造成的切換損耗較高，因此無法負荷較高的切換頻率；但若採用GaN，因其本身特性可大幅減少生熱，所造成的切換損耗也會較小。因此，隨著伺服器中心/通訊電源設備建置日增，為減少功率損耗，將會有越來越多客戶採用GaN FET，進而帶動GaN FET成長。
據悉，新推出的LMG3410借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能，特別是在硬開關(Hard-switching)應用中更是如此，能夠大幅降低高達80%的開關損耗；而與獨立的GaN FET不同，該產品針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智能機制。
Kozanian進一步指出，LMG3410並非只是單純的GaN FET，還結合該公司的GaN FET整合驅動器(Integrated Driver)。結合驅動器之後，該產品可實現保護作用，包括過電流(Over-current)或過熱(Over-temperature)保護，同時更能減少電壓應力和電磁干擾。此一作法目前於業界較為少見，大部分供應商都還是單獨供應GaN FET解決方案，並未將驅動器整合起來。
另一方面，為了能夠讓設計人員於電源設計中利用GaN技術所具有的優勢，TI還推出另一款新產品– LMG5200POLEVM-10，以擴展其GaN生態系統。LMG5200POLEVM-10為48V至1V負載點(POL)的評估模組，將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。這個解決方案可以在工業、電信和資料通信應用中實現高達92%的效率。
