ARM首款基於台積公司10奈米FinFET多核心測試晶片問世

2016 年 05 月 23 日

安謀國際(ARM)宣布首款採用台積公司10奈米FinFET製程技術的多核心64位元ARM v8-A處理器測試晶片問世。模擬基準測試結果顯示,相較於目前多用於多款頂尖高階手機運算晶片的16奈米FinFET+製程技術,此測試晶片展現更佳運算能力與功耗表現。


此款測試晶片已成功獲得驗證(2015 年第 4 季已完成設計定案),為該公司與台積公司持續成功合作的重要里程碑。此一驗證完備的設計方案包含了EDA工具、設計流程及方法,能夠使新客戶採用台積公司最先進的10奈米FinFET製程完成設計定案。此外,亦可供SoC設計人員利用基礎IP(標準元件庫、嵌入式記憶體及標準I/O)開發具競爭力的SoC,以達到較高效能、較低功耗及較小面積。


ARM執行副總裁暨產品事業群總經理Pete Hutton表示,高階行動應用SoC設計的最高指導原則就是低功耗,因為現今市場對裝置效能的需求日益高漲。台積公司的16奈米FFLL+製程與 ARM Cortex處理器已奠定低功耗的新標準。我們與台積公司在10奈米FinFET製程技術的合作,可確保在SoC層面上的效率,使客戶在維持嚴苛的行動功耗標準下,同時能夠有餘裕發展更多的創新。


ARM網址:www.arm.com

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