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Fairchild新款MOSFET可提高功率密度改善系統效率
快捷半導體宣布推出新款中電壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，採用 Dual Cool 8mm×8mm封裝。尺寸較小的新產品針對體積大的D2-PAK封裝提供較佳的替代品，且功率密度提高，並透過封裝上下方的氣流實現更佳的冷卻效果。
Fairchild產品行銷總監Mike Speed表示，新款MOSFET提供較佳的效能、功率密度和效率，其封裝尺寸為D2-PAK裝置的一半，可確保製造商開發更高效的產品，同時降低成本和提高可靠性。
製造商可透過新款MOSFET提高直流(DC)馬達的效率，同時降低成本，同時具有較小尺寸、外形更薄、重量減輕93%，適用於重量敏感型應用，如無人機和航空模型等。該產品封裝的切換速度加快、EMI減少、功率密度提高、寄生損失降低；並使用源極夾片而非焊線，可降低寄生損失，確保大脈沖電流的源極電感比D2-PAK裝置降低63%。
此外，由於濕氣在儲存過程中常常導致元件分層剝落(Delamination)，新推出的MOSFET耐濕性高，因此也更易儲存、裝運和搬運；並擁有較佳的MSL(濕度敏感)，無需使用D2-PAK裝置的保護封裝即可防潮。
快捷網址：www.fairchildsemi.com
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