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啟用局部對準測量 電子束校正更精準/簡易

文‧Hendrik Steigerwald/Oliver Ache/Runyuan Han/Frank Laske/ Klaus-Dieter Roeth 發布日期:2019/09/16

本文介紹局部對準量測可以允許對光罩進行密集採樣,從而表徵局部電子束的對準誤差並通過前饋實現電子束校正。

光罩製造商正面臨重大的光罩量測挑戰,亟需那些不僅具有成本效益也能提供更為嚴格的對準規格和圖案對準認證的解決方案。

電子束光罩曝光機的局部對準誤差可能對光罩至晶圓的疊對誤差產生關鍵影響,這是因為該誤差非常局部並且在標準的質量控制方案和採樣條件下難以將其發現。當然,光罩誤差特徵依賴於寫入策略;但也可能由殘餘的偏移器對準問題而引起,並導致了晶圓上非常局部但可能是不可校正的關鍵微影疊對誤差。由於氟化氬浸沒(ArFi)光罩和EUV光罩所採用的電子束曝光機策略之間並無顯著差異,我們預期這兩種光罩類型具有相似的誤差特徵。

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